直流磁控（kòng）濺射： 直流磁控濺射是在直流二級濺射的基礎上，在靶材後麵安防磁鋼。可以用來濺射沉積導電膜，而（ér）且沉積速度快；

但（dàn）靶材若為絕緣體的（de）話，將會迅速造成靶材表麵電荷積累，從而導致（zhì）濺射無法進行。所以對於純金屬靶材的濺射，均采用（yòng）直流磁控（kòng）濺射，如濺射SUS,Ag,Cr,Cu等。 

中（zhōng）頻磁控濺射， 常用來進（jìn）行反應濺射，如（rú）金屬氧化物（wù）、碳化物等，將少許反應性氣體N2,O2,C2H2等同惰性氣體Ar2一起輸入到真（zhēn）空腔中，使（shǐ）反應氣體與靶材原子一起於基材上沉積。

對於一些不易找（zhǎo）到的塊材（cái）料製成靶材的鍍膜或陶瓷靶材在濺鍍後，薄膜成分易（yì）偏離原靶材成分（fèn），也可通過反（fǎn）應沉積來獲得改善。