真空蒸發鍍膜是指在真空條件下，通過蒸發源加熱蒸發某種物質使其沉積在基板材料表麵來獲得（dé）薄膜的一種技術。

被蒸發的物質被稱為蒸鍍材料。蒸（zhēng）發鍍膜最早由 M.法拉第在 1857年提出，經（jīng）過一百（bǎi）多年的發展，現已成（chéng）為主流鍍膜技術之一。

真（zhēn）空蒸發鍍膜係統一般由三個部分組成：真空室、蒸發源或蒸發加熱裝置、放置基（jī）板（bǎn）及給基板加熱裝置。

在真空中為了蒸（zhēng）發待沉積的材料，需要容器來支撐（chēng）或盛裝蒸發物，同時需要提供蒸發熱使蒸發物達到足（zú）夠高的（de）溫度以產生所需的蒸汽壓。

真空蒸發鍍膜技術具有簡單便利、操作方便、成膜（mó）速度快等特點，是應用廣泛的鍍膜技術（shù），主要應用於光學元器件、LED、平板顯示和半（bàn）導體分立器的鍍膜。

真空鍍膜材料按照化學成分主要可以分為金屬/非金屬顆粒蒸（zhēng）發料，氧化物蒸發（fā）料，氟化物蒸發料等。