偏壓（Bias)是指在鍍膜過程（chéng）中施加在基體上的負電壓。偏壓電源的正極接到真空室上，同時真空室接地，偏壓的負極接到工件上。由於大地的電壓一般認為是零電位，所以工件上的電壓習慣說負偏壓，簡稱偏壓。

負（fù）偏壓的作（zuò）用
提供粒子能量；
對於基片的加熱效應；
清除基片上吸附的氣體和油汙等，有利於提（tí）高膜層結合強度；
活化基體表麵；
對電弧離子鍍（dù）（Arc Ion Plating)中的大顆粒（lì）有淨化作用；

偏壓的分類
根據波形可分為：
直流偏壓
直流脈衝偏壓
直流疊加（jiā）脈衝偏壓
雙極性（xìng）脈衝偏壓

直流（liú）偏壓和脈衝偏壓（yā）的比較

傳統的電弧離子鍍是在基片台上施加直流負偏壓控製離子轟擊（jī）能量, 這（zhè）種（zhǒng）沉積工藝存在以下缺點:
        基體溫升高, 不利於在回火溫度低的基體上沉積硬質膜。
        高能（néng）離子轟擊造成（chéng）嚴重的（de）濺射, 不能簡單（dān）通過提（tí）高離子轟擊能量合成高反應閾能的硬質薄膜。
直流偏壓電弧離子鍍工藝中,為了抑製因離（lí）子對基體表（biǎo）麵連續（xù）轟（hōng）擊而導（dǎo）致的基體溫度過高,主要采（cǎi）取減少沉積功率、縮短沉積（jī）時間、采用間歇沉積方式等措施來降（jiàng）低沉積溫度，這些措施可以概括地稱為能量控製法'這種方法（fǎ）雖然可以降低沉積溫度（dù）,但也使薄膜的某些性能下（xià）降,同時還（hái）降低了生（shēng）產效率和薄膜質量的（de）穩定性，因此,難以推廣應用。
脈（mò）衝偏壓（yā）電弧離子鍍工藝中,由於離子是以非連續的脈衝方式轟擊基（jī）體表麵,所以（yǐ）通過調節脈衝偏壓的占空比,可改（gǎi）變基體內部與表麵之間的溫度梯度,進而改（gǎi）變基體內部與表麵之間熱的均衡補償效果（guǒ）,達到調控沉積（jī）溫度的（de）目的。這樣就可（kě）以把施加偏壓的脈衝（chōng）高度與工件溫度獨立分開(互（hù）不影響或影響很小)調節,利用高壓（yā）脈衝（chōng）來獲得高能離子（zǐ）的轟擊（jī）效應以改善薄膜的組織和性能,通過降低占空比來減小離子轟擊的總加熱效應以降（jiàng）低沉積溫度（dù）。

偏壓對膜層的影響

偏壓對膜層的影響（xiǎng）機製是很複雜的，下麵列出了一些主要影響，可以根據自己的使用工藝，觀察總結，就可以很快摸清偏壓對膜層的影（yǐng）響規（guī）律。
        膜層結構、結晶構造取向、組織結構
        沉積速率
        大顆粒淨化
        膜層硬度（dù）
        膜層致密度
        表麵形貌
        內應力

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