物理氣相沉積介紹之真空卷繞鍍膜技術：
        真空（kōng）卷繞（rào）鍍（dù）膜(卷對卷)是在（zài）真空下應用不同方法在柔性基體上實現（xiàn）連續鍍膜的（de）一種技術。它涵蓋真（zhēn）空獲得、機電控（kòng）製、高精傳（chuán）動和表麵分析等多方麵（miàn）內容（róng）。其重點是，在保證鍍膜質量（liàng）前提下提高卷繞速率、控（kòng）製鍍膜穩定性及實（shí）施在線監控。卷對卷技術成本低、易操（cāo）作、與柔性基底相容、生產率高及可連續鍍多層膜等優點。第一台（tái）真（zhēn）空蒸發卷繞鍍膜機1935年製成（chéng），現可（kě）鍍幅寬由500至2500mm。卷對卷技術應用由包（bāo）裝和裝飾用膜，近年逐漸擴大至激光防偽膜、導電等功能（néng）薄膜方麵，是未（wèi）來柔性電子等行業的主流技術之一。
        真空卷繞鍍膜係統（tǒng）按（àn）結構可（kě）分為單室、雙室和多室真空卷繞係統，後兩（liǎng）者可解（jiě）決開卷放氣問題並分別控製卷（juàn）繞和鍍膜室各自真（zhēn）空度。卷繞張力控製分錐度、間接和直接控製模型，錐度控製模型可解（jiě）決薄膜褶皺和徑向力分布不均的問題；間（jiān）接（jiē）張力控製無需（xū）傳感器，可用內置張力控製模塊的矢量變（biàn）頻（pín）器代替；直接張力控製通過張力傳感器精確測量（liàng）張力值，但需慣性矩和角（jiǎo）速（sù）度（dù）等（děng）多種參數。真空卷繞鍍（dù）膜（mó）主要有真空蒸發、磁控濺射等方式，可用於製備新型高折射率薄膜、石墨烯等（děng）納米材料和柔性（xìng）太陽能電池等半導體器件。針對真空卷繞鍍膜技術研究現狀及向產業化過渡存在的問題，最後作了簡要分析與展望。
        真空卷對卷設備由抽真空、卷繞、鍍膜（mó）和（hé）電氣控製等係統組成。真（zhēn）空卷繞鍍膜設備根據真空室有無擋板，可分單室、雙室和多室（shì）結（jié）構。單室（shì）的收（shōu）放卷輥和鍍膜輥在同一室中，結構簡單但開卷時放氣會汙染真（zhēn）空（kōng）環境。雙室結構將係統用擋板隔成卷繞和（hé）鍍膜室，卷輥與（yǔ）擋板（bǎn）間隙約1.5mm，避免了類似開卷放氣問題。多室常用於製備複合薄膜，在雙室基礎上將相鄰鍍膜區（qū）用擋板（bǎn）隔開避免幹擾。如Krebs等將Skultuna FlexiblesAB的開（kāi）普頓擋板固定於兩磁控濺射靶間，板兩側塗覆50μm的銅層。分隔擋板與真空室壁狹縫越（yuè）小越好。據鍍膜時輥（gǔn）筒作（zuò）用分為單主輥（gǔn）和多主輥卷繞（rào）鍍膜機。據（jù）電機個數，則可分為兩電機、三電機和四電（diàn）機（jī）驅動（dòng）係統（tǒng）。

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