磁（cí）控濺射技術自誕生以來（lái），得到了較快的發展和較廣的應用，對其他鍍膜方法（fǎ）的發展產生了很大的影響。通過大量的實踐，浦元真空總（zǒng）結（jié）出這種技術的優缺點（diǎn），如下文所示（shì）。

　　優點：
　　1.沉（chén）積速率高，襯底溫升低，對薄膜損傷小；
　　2.對於大多數材（cái）料，隻要能製造出靶材，就可以實現濺射；
　　3.濺射得到的薄（báo）膜與基（jī）底結合良（liáng）好；
　　4.濺射得到的薄膜純度較高，密度好，均勻性好；
　　5.結果表明，濺射工藝具有良好的重複性，在（zài）大麵積襯底上可獲得厚度均勻的（de）薄膜；
　　6.可（kě）以（yǐ）準確控製塗層厚（hòu）度，通過改變參數來控製薄膜（mó）的粒徑；
　　7.不同的金屬、合金和氧化物可以混合，同時濺射在基體上；
　　8.易於工業化。


　　但是磁控濺射也存在一些問題
　　1.該技術所使用的（de）環形磁場迫（pò）使次級電子圍繞環形磁場跳躍。因此，由環形磁場控製的區域是等離子體密度較高的區域。在該（gāi）技（jì）術中，我們可以（yǐ）看到濺射（shè）氣體氬在這一區域發出強烈的淡藍色光（guāng）芒，形成光暈。光暈下的靶是離（lí）子轟擊比較嚴重的部（bù）分，它會濺出一（yī）個圓形的溝槽。環形（xíng）磁場是電子運動的軌（guǐ）道，環形輝光和溝槽生動地表現了這一點。靶材的濺射槽一（yī）旦穿（chuān）透靶材，整個靶材就會報廢，靶材利用（yòng）率不高（gāo），一般低於40%；
　　2.等離子體不穩（wěn）定；
　　3.由於（yú）基本的（de）磁通量均不能（néng）通過磁性靶，所（suǒ）以在靶麵附近不可能產生外加磁場。

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